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第365章 百年之大变局,此乃中兴之象[3 / 9]

能会出现量子隧穿效应,导致芯片电路运行混乱。

因此世界各大芯片研究组织认为,5纳米就是硅片材料极限,如果想要再进一步,那就必须要找到新的半导体材料去替代。

所以陈星喊出3纳米芯片时,很多业内人士都只是当笑话听,包括曲程和秦龙。

可现在他们发现,陈星没有开玩笑,好像是要玩真的,这让曲程和秦龙心头一紧。

“嗯。”

陈星没有否认,回应道:“我们来看看研发进度,另外曲老说有几个问题想要和你探讨。”

“原来如此。”高正谦恍然大悟般点了点头,让出个身位道:“那各位里面请吧。”

“打扰了。”

“多有打扰。”

曲程和秦龙依旧客客气气。

几人走进实验室,映入眼帘的就是各类设计算机,科研人员正各司其职的工作着。

“这边请。”

高正谦继续带路。

四人穿过数个工位,来到了高正谦的研发工位,这里的计算机都处于工作状态,屏幕内容也都是电路的设计图。

做为业内人士,曲程看着EDA软件参数的7纳米标识,有些不解道:“这是在设计7纳米芯片吗?”

“不是3纳米?”

秦龙目光看向陈星。

陈星同样愣了愣,不解地看向高正谦道:“新的芯片项目?”

不应该啊!

不是设计3纳米芯片吗?

这怎么回事?

面对疑问,高正谦淡然一笑,回应道:“此7纳米非彼7纳米,而是采取了多重堆叠技术,让芯片性能翻倍的尝试,严格来说的话,它是性能直逼3纳米芯片的7纳米芯片。”

“???”

“???”

在场的秦龙、曲程都懵了。

7纳米直逼3纳米芯片性能?

这怎么可能!

简直闻所未闻,听都没听说过!

但忽然,曲程想到了什么,连忙询问道:“难道这就是突破量子隧穿效应,制造出更高性能芯片的办法?”

芯片纳米制程为什么推进慢?

原因就出自“量子隧穿”上,必须先解决它,才能造出新一代的纳米制程芯片。

那什么是量子隧穿效应?

众所周知,芯片的算力是由无数个0和1组成。

在电流通过芯片内部的晶体管,它就会给出0和1

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