对位合格，启动单次曝光，剂量240mJ/cm??，聚焦阈值锁定0.8nm。”
下一秒，EUV光束精准击穿光刻胶表层，在晶圆基底上完成极致精微的电路图形复刻。
整个曝光过程无声无息，无任何肉眼可见光影，却在微观尺度完成了千亿级晶体管电路的精准刻画。
单次曝光结束，机台自动完成移片、对焦、二次校准，开启多重曝光叠加工艺，完美适配1nm制程的图形拼接需求。
三分钟后，首批测试晶圆曝光工序全部完成，设备自动卸载晶圆，送入后端在线检测工位。
缺陷检测机和线宽量测机瞬间启动扫描，海量微观成像数据快速刷新在大屏之上。
当最终检测结果跳出的那一刻，团队成员呼吸同时停滞。
大屏幕上清晰显示——
实测线宽：1.02nm
套刻精度：1.18nm
边缘粗糙度：≤0.45nm
微观缺陷数：0
轰！！！
团队瞬间炸了！！！
“神呐！所有核心参数全部达到甚至超越国际商用1nm制程标准！！”
“苏总研发的国产HighNAEUV光刻机竟然成功了！！！”
“OMG！太不可思议了吧！！谁能掐我一下！我不是在做梦吧？！！”
不是……
成功了？
安若素和安无恙两位门外汉相视一眼，对于不懂的人来说，连是否成功都无法分辨。