眉宇间藏着一丝焦灼。
这段时间，他们最大的难题始终是栅极边缘毛刺、局部掺杂不均，屡屡拉低硅片成品率，好几次即将成型的工艺参数，都因这两处瑕疵功亏一篑。
年轻技术员压着心底的忐忑，轻声汇报，声音被口罩闷得低沉含糊。
“苏工，这批试样还是老问题。光刻显影后，栅极线条边缘不够平滑，有细微毛刺，而且部分片区掺杂浓度偏差超标，达不到量产标准。
我们按照原DTL工艺参数微调过几次，偏差反而更大。”
苏砚闻言没有立刻开口责备，只是微微颔首，抬手微调显微镜焦距，动作轻柔稳当，力道精准分毫不差。
她俯身凑近目镜，目光沉沉落在微小精密的管芯结构上，细细观察纹路、涂层与掺杂层次，几秒后便精准摸清了问题根源。
她直起身，指尖轻点记录本上的两组核心参数，语气平稳温和，却带着不容置疑的专业底气，字字清晰、条理分明。
“DTL是双极工艺，和我们现在攻坚的PMOS工艺底层逻辑完全不同，不能直接套用老参数。
双极工艺侧重电流放大，而PMOS核心在栅氧层的均匀度和可控性，生搬硬套只会出现边缘畸变、掺杂失衡。”
说着，她侧身让出操作台的位置，示意技术员上前实操观摩。
暖黄灯光落在她洁净服肩头，沉稳的嗓音在机器嗡鸣中清晰传开，耐心拆解每一处操作细节。
“接下来调整两组关键参数。第一，把氧化炉恒温区间上调三摄氏度，延长二十分钟恒温保持时间，让栅氧层生长得更均匀致密，从根源减少边缘毛刺。
第二，降低离子注入速率，放慢掺杂进度，宁可慢一点，也要保证整片硅片的掺杂浓度均匀统一，杜绝局部偏差。”
两名技术员连忙上前，一人紧盯仪器表盘记录参数，一人俯身核对显微镜下的管芯状态，紧绷的神经渐渐松弛。
苏砚一边紧盯设备运行状态，一边趁热打铁，纠正团队固化的老工艺思维。
“大家要记住，我们现在是在成熟的DTL工艺线上，硬生生开拓MOS集成电路的量产路径，
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